在半導體精密製造中,光刻工藝無疑是決定工藝精度的關鍵,直接影響半導體器件的最終性能。隨著半導體器件的不斷微縮和新技術的應用,光刻工藝不斷挑戰物理極限,對微污染物更是零容忍。在此背景下,作為過濾技術領域的創新者,Cobetter持續研發攻堅,深耕光刻工藝的高精密過濾,致力於為客戶提供極致的產品。繼1nm PE濾芯取得優秀成績之後,Cobetter已推出的Sub 1nm PE產品也在客戶應用中獲得了優異的性能回饋。
Cobetter自主研發的PE濾膜採用拉伸工藝製造,通過精准控制拉伸過程,使高結晶度的濾膜得以完美成型。憑藉創新的技術工藝,Sub 1nm PE濾膜在製造過程中進一步縮小了膜孔尺寸,並優化了孔徑分佈,從而顯著提升了Sub 1nm PE濾膜的截留能力。實驗數據顯示,在苛刻的過濾條件下,Sub 1nm PE對2nm金顆粒的過濾效率比1nm PE濾膜高出約20%。

从1nm PE和Sub 1nm PE滤膜的电镜图中可以发现,Sub 1nm PE濾膜的孔径更小,且孔更致密地分布在膜表面。
Sub 1nm PE濾芯不僅在顆粒截留性能上得到了提升,還在潔淨度方面進行了優化。对于高精度过滤器,需要嚴格管控金属離子、有機物、顆粒溶出等多項指標。Cobetter通過先進的潔淨管控技術,嚴格管控微污染物,確保濾芯的高潔淨,可以有效減少客戶上機的沖洗時間。
Metal(μg/device) | NVR(μg/device) | Particle Shedding @after 15min flush |
<0.2@OK73 | <0.25 | <1@OK73/UPW@30nm up <20@OK73/UPW@20nm up |
Cobetter高潔淨度的 Sub 1nm PE 測試結果
| Customer A | Customer B | Customer C |
Application | Solvent | Photoresist | Solvent |
Result | >15nm WP<20 ea/wafer | Cone defect counts reduced 54% Coating defect counts reduced 39% | >19nm WP<10 ea/wafer |
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