擴散工藝是半導體製造過程中用於摻雜的一種重要技術,主要用於對半導體材料的改性。通過將不同的摻雜物質(如硼、磷等)擴散到半導體材料中,可以有效改變其電導率和其他物理特性。具體操作是將摻雜物塗覆在矽片表面,並加熱至高溫,使摻雜物擴散至矽片內部。在這個過程中,摻雜物的濃度分佈對擴散工藝的最終效果和良率具有至關重要的影響。因此,精確控制摻雜物的濃度和擴散條件是確保半導體器件性能和生產品質的關鍵。
B和P屬於AMC污染物中MD類別。當FAB內的環境氣體裏過量B、P進入diffusion chamber(擴散室)時,會引入不可控的摻雜物,引起閾值電壓(threshold voltage)變化和電阻率變化,也會有產生無規則成核的風險。

B和P怎麼濾除?
B、P分為有機B,有機P和無機B、無機P。其中有機P主要來源於阻燃劑的揮發,如TEP等,此類AMC物質屬於VOC(揮發性有機化合物),可以通過物理吸附原理去除,具體是利用吸附濾料通過範德華力吸附有機B、P。而無機B、P則主要是Acid類分子污染物,主要通過化學吸附原理去除。

如何有效防止爐管設備內B、P的濃度不受控?
可在其設備頂部EFU點位加裝除B、P的化學過濾器,可有效降低diffusion裏環境氣體中B、P濃度,以確保製程良率。
Cobetter憑藉雄厚的研發實力,針對B、P等多種AMC(空氣污染物),採用高吸附性能的濾料,其通過多種活性炭改性和離子交換樹脂並以特定的配比製成。在濾膜的生產過程中,採用新型無膠工藝,避免了加膠工藝中的活性炭孔堵塞和氣體釋放等問題。濾膜進行多層折疊製作,有效過濾面積大,吸附性能高,可以實現對有機和無機B、P的有效去除。
以下是客戶現場爐管設備加裝化濾的案例:
Cobetter對現場設備進行量測、改造,並加裝了去除B、P的化學過濾器。客戶使用更為精確的矽片降塵法,對現場三組原廠化濾和三組Cobetter化濾的下游進行檢測對比,發現Cobetter化濾性能優異,高效地降低了B、P的濃度,有效提升了客戶的產品良率。
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