隨著半導體產業的發展,先進封裝的應用越來越廣泛,電鍍工藝的需求也日益增加。在半導體電鍍設備中,離子膜是關鍵的耗材之一,發揮著獨特且重要的作用。高性能的離子膜能確保電鍍設備的平穩運行,維持工藝的穩定性,進而保證鍍層高質量和晶片的高性能。缺少高性能離子膜的支持,將直接影響工藝參數,甚至影響封裝工藝的穩定性和產能,從而影響企業的經濟效益。
Cobetter Cu離子膜自研發以來,始終致力於為半導體電鍍工藝提供更優的解決方案。目前,其整體性能已達到國際先進水準,能夠在先進封裝電鍍工藝中廣泛引用,Cobetter Cu離子膜在眾多封裝客戶中表現優秀,為高效生產提供了堅實的保障。
離子膜工作原理
全氟磺酸H型離子膜,在電鍍液環境中解離H離子,離子膜在形成離子通道的同時,顯負電性,排斥陰離子的通過,為電鍍液中陽離子的通過創造基礎條件,從而在電場力和其他一些作用力的驅使下,將陽離子從膜的一端傳遞到另一端,達到選擇透過目的。

品牌 | Cobetter | 競品一 | 競品二 |
材料 | 全氟磺酸(PFSA) | ||
類型 | H型 | H型 | H型 |
厚度/mm | 0.363 | 0.333 | 0.443 |
克重/g/m2 | 525 | 447 | 540 |
离子交换容量 | 0.737 | 0.585 | 0.703 |
吸水線性溶脹率/% | 2.92 | 3.86 | 4.42 |
爆破强度/MPa | 1.32 | 1.167 | 1.157 |
拉伸强度/MPa | 21.37 | 22.70 | 18.13 |
表面電阻/Ω*cm2 | 1.495 | 1.671 | 1.564 |
電流效率/% | 99 | 99 | 99 |
*数据参数均为均值
Cobetter Cu離子膜產品在與競品公司離子膜產品同等爆破、拉伸強度、電流效率的同時,擁有更高的離子交換容量,更低的膜表面電阻,在提升了離子交換容量的同時,更是減少了對整體回路電壓的影響,實現性能方面的實質性提升。
Cobetter Cu离子膜性能测试
穿透性能测试
(同等電流密度下8h電鍍測試)
在Cu離子穿透方面相對提高了離子膜在離子穿透性能方面的上限更有利於Cu離子膜的穿透傳遞。
电流效率测试
Cobetter Cu離子膜在大電流密度和小電流密度下,電流效率均保持在99%以上,充分滿足封裝行業大電流密度電鍍的需求。
Cu離子膜添加劑阻隔效果測試
Cobetter Cu離子膜在阻隔添加劑方面也實現了跟對標公司產品同等水準,符合電鍍封裝行業對於添加劑阻隔方面的要求。
封裝應用案例
Cobetter的離子膜產品已經大批量應用於知名ECP設備中,並作為設備原廠標配應用於各大半導體工廠和先進封裝工廠。其產品穩定性和均勻性均達到了客戶的嚴格要求,特別是均勻性控制在5%左右,這一出色表現得到了眾多客戶的認可。
歡迎您的垂詢!
您可透過本網站「聯絡我們」頁面留下寶貴的資訊,或直接以電話或電子郵件與我們聯繫。我們將盡速回覆,提供您專業的解答與協助。
期待為您提供優質的服務。