半導體外延等製程中，氣體純度至關重要，其中含水量、金屬雜質、VOC和顆粒物等細微因素都會對產品良率產生直接影響。金屬雜質主要源於氣體自身的污染或腐蝕性氣體導致的金屬管路腐蝕，同時，水分會加劇酸性氣體對輸送管道的腐蝕。特別地，HCI和CI2等氯化物氣體在矽外延生長工藝中扮演著關鍵角色，若HCI的純度無法得到保證，其拋光效果將大打折扣，從而降低產品良率。
為滿足這一高純度要求，Cobetter開發團隊憑藉其強大的研發實力，持續創新，成功開發出性能優異的超潔淨改性吸附劑和金屬過濾膜。這款改性吸附劑不僅能夠有效吸附HCI氣體中的痕量水和VOC，還具備捕捉氣態分子形式的金屬污染物的能力。此外，純化器末端的耐腐蝕金屬濾膜，具備高精度過濾功能，能夠徹底過濾包括金屬顆粒在內的各類微粒，從而確保氣體的深度純化。整個設計流程邏輯嚴密，確保了氣體的純淨度和安全性。
在使用流量38L/min下，氣源HCI(含水量H20≤1.0ppm)使用時間為1年；若氣源含水量降低，則壽命相應增加。
在驗證該產品性能時，特別關注其在低含水量HCI(H2O:500ppb)氣體和標準流量(38L/min)的條件下的表現。經過嚴格測試，Cobetter純化器的去除效率均達到97%以上（純化器下游H2O均可在15ppb以內）
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