濕法刻蝕和清洗
濕法刻蝕是通過化學溶液有選擇性去除材料表面層，以實現高精度的微結構加工，這些工藝廣泛應用於刻蝕矽、氧化物和氮化物等材料，確保器件的性能和可靠性。
濕法清洗是貫穿半導體產業鏈的重要工藝環節，用於去除半導體製造中每個工藝步驟中可能存在的雜質，避免微小雜質影響晶片良率和晶片產品性能。
隨著積體電路晶片製造工藝的進步，線寬關鍵尺寸不斷縮小、晶片結構3D化，晶圓製造向更先進的工藝發展。晶片對微小雜質含量的敏感度越來越高，這些微小雜質將直接影響晶片產品的良率。晶片製造的數百道工序會不可避免地會產生或引入到多種微小污染物。為了高效去除它們，對清洗工藝和高精密過濾的管控至關重要。通過採用先進的過濾技術，可以在濕法刻蝕和清洗過程中有效去除微小污染物，確保晶圓表面的潔淨度，從而提高晶片的製造良率和性能。
Cobetter過濾、純化解決方案
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