化學機械研磨（Chemical Mechanical Planarization，簡稱CMP）是半導體晶片製造過程中關鍵的平坦化工藝。該工藝結合了化學腐蝕和機械磨削的特點，通過塗布拋光液並施加壓力，均勻地去除晶圓表面材料，以消除不平坦性並顯著提高表面光滑度。CMP工藝的精確控制確保了後續工藝步驟的精確性和可靠性，為製造高性能半導體器件提供了堅實基礎。

隨著半導體器件的不斷微縮和集成度的增加，CMP工藝在積體電路生產流程中的應用次數逐步增加。先進的積體電路工藝對CMP的平坦化效果、控制精度、系統集成度和後清洗技術也提出了更高的要求。過濾技術在其中起到了關鍵的作用，可以有效去除拋光液中的大顆粒，確保拋光過程的穩定性和效果。

科百特為CMP工藝提供多種過濾解決方案，能夠有效地去除拋光液中的大顆粒和雜質，可以根據不同工藝需求，提供合適的過濾方案，幫助客戶提升生產效率，降低缺陷率。